中文版 ENGLISH
 
常见问题
相关标准
使用指南
 
 
技术指标(5).激励电平
                                         发布日期:2009-4-23   点 击 数:4873 

      激励电平的影响
     实际上,所有晶体元件的频率都在一定程度上随激励电平变化而变化,一般来说,AT切晶体的频率会随激励电平增大而略有升高。过高的激励电平会导致谐振器温度特性的畸变,并激活寄生模。过高的激励使晶体发热和应力过大,从而产生不可逆的频率漂移。
     非常低的激励电平(数微瓦或更低)下,晶体元件的谐振电阻可能比在额定激励电平下电阻值高很多,以致使振荡器起振困难。这种效应经过一段非工作状态的贮存后会加剧,这就是激励电平相关性(DLD)。因此,晶体在电路中实际使用的激励电平不应过大和过小。
 

     下面是IEC推荐的激励功率的常用值。
 2mw、1mw、0.1mw(100μw)、0.05mw(50μw)、0.02mw(20μw)、0.01mw(10μw)、0.001 mw(1μw)
      优选值  5MHz以下  500μw,一般   100μw

 
 
唐山国芯晶源电子有限公司
冀ICP备05013111号-1 唐山市公备 备案号码:13020002000616